ແຜ່ນ Silicon nitride ແລະວິທີການຜະລິດຂອງມັນ

ຊື່ສິດທິບັດ:ຊັ້ນໃຕ້ດິນ Silicon Nitrideແລະວິທີການຜະລິດຂອງມັນ, ແລະວິທີການຜະລິດແຜ່ນວົງຈອນ silicon nitride ແລະໂມດູນ semiconductor ໂດຍໃຊ້ແຜ່ນ silicon nitride.
ສາຂາວິຊາ:
invention ປະ​ຈຸ​ບັນ​ກ່ຽວ​ຂ້ອງ​ຊັ້ນໃຕ້ດິນ Silicon Nitrideແລະວິທີການຜະລິດຂອງມັນ. ນອກຈາກນັ້ນ, ການປະດິດປະກອບດ້ວຍການນໍາໃຊ້ substrates ຂອງວົງຈອນ silicon nitride ແລະໂມດູນ semiconductor ການນໍາໃຊ້ຂ້າງເທິງ.ຊັ້ນໃຕ້ດິນ Silicon Nitride.
ເຕັກນິກພື້ນຖານ:
ໃນຊຸມປີມໍ່ໆມານີ້, ໃນຂົງເຂດແລະຂົງເຂດອື່ນໆຂອງຍານພາຫະນະໄຟຟ້າ, ໂມດູນ semiconductor ພະລັງງານ (IGBT, ພະລັງງານ MOSFET, ແລະອື່ນໆ) ທີ່ສາມາດເຮັດວຽກກັບແຮງດັນສູງແລະກະແສໄຟຟ້າຂະຫນາດໃຫຍ່. ສໍາລັບ substrate ທີ່ໃຊ້ໃນໂມດູນ semiconductor ພະລັງງານ, ດ້ານຫນຶ່ງຂອງ substrate ceramic insulating ສາມາດຖືກນໍາໃຊ້ເພື່ອສົມທົບກັບແຜ່ນວົງຈອນໂລຫະ, ແລະ substrate ວົງຈອນ ceramic ກັບແຜ່ນ radiator ໂລຫະຢູ່ດ້ານອື່ນສາມາດໃຊ້ໄດ້. ນອກຈາກນັ້ນ, ອົງປະກອບ semiconductor ໃນກະດານວົງຈອນໂລຫະແລະອື່ນໆ. ການປະສົມປະສານຂອງຊັ້ນໃຕ້ດິນເຊລາມິກ insulating ທີ່ໄດ້ກ່າວມາຂ້າງເທິງກັບກະດານວົງຈອນໂລຫະແລະເຄື່ອງລະບາຍຄວາມຮ້ອນຂອງໂລຫະ, ເຊັ່ນ: ອັນທີ່ເອີ້ນວ່າ copper-based copper-based copper-based copper-based copper-based copper-based copper-based copper-based copper ແມ່ນເຊື່ອມຕໍ່ໂດຍກົງ. ທາງດ້ານກົດໝາຍ. ສໍາລັບໂມດູນ semiconductor ພະລັງງານດັ່ງກ່າວ, ການກະຈາຍຄວາມຮ້ອນແມ່ນຫຼາຍກວ່າໂດຍການໄຫຼຜ່ານກະແສຂະຫນາດໃຫຍ່. ຢ່າງໃດກໍຕາມ, ເນື່ອງຈາກວ່າ substrate ເຊລາມິກ insulating ຂ້າງເທິງນີ້ຕ່ໍາໃນເງື່ອນໄຂຂອງການນໍາຄວາມຮ້ອນ, ມັນອາດຈະກາຍເປັນປັດໄຈທີ່ຂັດຂວາງການກະຈາຍຄວາມຮ້ອນຂອງອົງປະກອບ semiconductor. ນອກຈາກນັ້ນ, ການຜະລິດຄວາມກົດດັນຄວາມຮ້ອນແມ່ນເກີດມາຈາກອັດຕາການຂະຫຍາຍຄວາມຮ້ອນລະຫວ່າງຊັ້ນໃຕ້ດິນເຊລາມິກ insulating ແລະແຜ່ນວົງຈອນໂລຫະແລະແຜ່ນລະບາຍຄວາມຮ້ອນໂລຫະ. ດັ່ງ​ນັ້ນ​, substrate ceramic insulating ແມ່ນ cracking ແລະ​ທໍາ​ລາຍ​, ຫຼື​ແຜ່ນ​ວົງ​ຈອນ​ຂອງ​ໂລ​ຫະ​ຫຼື​ການ​ແຜ່​ກະ​ຈາຍ​ຄວາມ​ຮ້ອນ​ຂອງ​ໂລ​ຫະ​ຄະ​ນະ​ກໍາ​ມະ​ໄດ້​ຖືກ​ລອກ​ເອົາ​ຈາກ insulating substrate ceramic​.