ຊັ້ນໃຕ້ດິນ Silicon Nitride ທີ່ທົນທານຕໍ່ການສວມໃສ່

ເປັນTorbo®ຄຸນນະພາບສູງມືອາຊີບຊັ້ນໃຕ້ດິນ Silicon Nitride ທີ່ທົນທານຕໍ່ການສວມໃສ່ຜູ້ຜະລິດ, ທ່ານສາມາດຫມັ້ນໃຈໄດ້ໃນການຊື້ຊັ້ນໃຕ້ດິນ Wear resistant Silicon Nitride ຈາກໂຮງງານຂອງພວກເຮົາແລະພວກເຮົາຈະສະເຫນີໃຫ້ທ່ານມີການບໍລິການຫລັງການຂາຍທີ່ດີທີ່ສຸດແລະການຈັດສົ່ງທີ່ທັນເວລາ.The ຄວາມເຂັ້ມຂົ້ນສູງຂອງຊິລິໂຄນເຮັດໃຫ້ຊັ້ນໃຕ້ດິນ Wear resistant Silicon Nitride ທົນທານຕໍ່ຄວາມເສຍຫາຍຈາກລັງສີ ionizing. ແລະ​ການ​ປ່ຽນ​ແປງ​ອຸນ​ຫະ​ພູມ​, ທີ່​ເຮັດ​ໃຫ້​ພວກ​ເຂົາ​ເຫມາະ​ສົມ​ສໍາ​ລັບ​ການ​ນໍາ​ໃຊ້​ໃນ​ອະ​ວະ​ກາດ​ແລະ​ອຸນ​ຫະ​ພູມ​ສູງ​. A Torbo®ຊັ້ນໃຕ້ດິນ Silicon Nitride ທົນທານຕໍ່ການສວມໃສ່ແມ່ນວັດສະດຸທີ່ໃຊ້ໃນການຜະລິດເອເລັກໂຕຣນິກ. ມັນຖືກເຮັດດ້ວຍຊັ້ນບາງໆຂອງຊິລິຄອນ nitride, ເຊິ່ງມີຄວາມຕ້ານທານສູງຕໍ່ການນໍາໄຟຟ້າ, ແລະຄວາມເຂັ້ມຂົ້ນສູງຂອງອະຕອມຂອງຊິລິໂຄນ. ວັດສະດຸນີ້ຖືກນໍາໃຊ້ທົ່ວໄປໃນການຜະລິດອຸປະກອນ semiconductor, ເຊັ່ນ: transistors ແລະ diodes, ເຊັ່ນດຽວກັນກັບອຸປະກອນ optoelectronic, ເຊັ່ນ: ຈຸລັງແສງຕາເວັນແລະ diodes ແສງສະຫວ່າງ emitting (LEDs).

Torbo® ຊັ້ນໃຕ້ດິນ Silicon Nitride ທີ່ທົນທານຕໍ່ການສວມໃສ່

ລາຍການ: ຊັ້ນໃຕ້ດິນ Silicon nitride

ວັດສະດຸ: Si3N4

ສີ: ເທົາ

ຄວາມຫນາ: 0.25-1mm

ການປຸງແຕ່ງພື້ນຜິວ: ຂັດສອງເທົ່າ

ຄວາມໜາແໜ້ນ: 3.24g/㎤

Surface roughness Ra: 0.4μm

ແຮງບິດ: (ວິທີ 3 ຈຸດ): 600-1000Mpa

Modulus ຂອງ elasticity: 310Gpa

ຄວາມທົນທານຂອງກະດູກຫັກ (ວິທີ IF): 6.5 MPa･√m

ການນໍາຄວາມຮ້ອນ: 25°C 15-85 W/(m･K)

ປັດໄຈການສູນເສຍ Dielectric: 0.4

ຄວາມຕ້ານທານຂອງປະລິມານ: 25°C>1014 Ω･㎝

ຄວາມ​ເຂັ້ມ​ແຂງ​ຂອງ​ການ​ແຍກ​: DC​>15㎸/㎜​

The Bag®ຊັ້ນໃຕ້ດິນ Silicon Nitride ທີ່ທົນທານຕໍ່ການສວມໃສ່ທີ່ຜະລິດໂດຍໂຮງງານຈີນໄດ້ຖືກນໍາໃຊ້ໃນຂົງເຂດເອເລັກໂຕຣນິກເຊັ່ນ: ໂມດູນ semiconductor ພະລັງງານ, inverters ແລະ converters, ທົດແທນອຸປະກອນ insulating ອື່ນໆເພື່ອເພີ່ມຜົນຜະລິດການຜະລິດແລະຫຼຸດຜ່ອນຂະຫນາດແລະນ້ໍາຫນັກ.

ຄວາມເຂັ້ມແຂງສູງທີ່ສຸດຂອງພວກເຂົາຍັງເຮັດໃຫ້ພວກເຂົາເປັນວັດສະດຸທີ່ສໍາຄັນທີ່ຊ່ວຍເພີ່ມຊີວິດແລະຄວາມຫນ້າເຊື່ອຖືຂອງຜະລິດຕະພັນທີ່ເຂົາເຈົ້າຖືກນໍາໃຊ້. ການລະບາຍຄວາມຮ້ອນສອງດ້ານໃນບັດພະລັງງານ (ເຊມິຄອນດັກເຕີໄຟຟ້າ), ຫນ່ວຍຄວບຄຸມພະລັງງານສໍາລັບລົດໃຫຍ່.

FAQ

3. ຂໍ້ດີຂອງການນໍາໃຊ້ຊັ້ນໃຕ້ດິນ Silicon Nitride Wear resistant ໃນຜະລິດຕະພັນເອເລັກໂຕຣນິກແມ່ນຫຍັງ?

substrates ເອເລັກໂຕຣນິກສະເຫນີຂໍ້ໄດ້ປຽບຫຼາຍ, ເຊັ່ນ: ຄວາມຫມັ້ນຄົງດ້ານຄວາມຮ້ອນແລະກົນຈັກທີ່ດີເລີດ, ຄວາມຖືກຕ້ອງຂອງມິຕິລະດັບສູງ, ແລະຄ່າສໍາປະສິດຕ່ໍາຂອງການຂະຫຍາຍຕົວຄວາມຮ້ອນ (CTE).

4. ສິ່ງທ້າທາຍໃນການຜະລິດແຜ່ນຮອງ Silicon Nitride ທົນທານຕໍ່ Wear ແມ່ນຫຍັງ?

ສິ່ງທ້າທາຍຕົ້ນຕໍໃນການຜະລິດ substrates ເອເລັກໂຕຣນິກປະກອບມີການຮັບປະກັນຄວາມຫນາແຫນ້ນຂອງເອກະພາບ, ຫຼີກເວັ້ນການຜິດປົກກະຕິເຊັ່ນ: voids ແລະ delamination, ແລະການຄວບຄຸມ CTE.

5. ຊັ້ນໃຕ້ດິນ Silicon Nitride ທົນທານຕໍ່ Wear ສາມາດຖືກປັບແຕ່ງເພື່ອຕອບສະຫນອງຄວາມຕ້ອງການຂອງຜະລິດຕະພັນສະເພາະບໍ?

ແມ່ນແລ້ວ, substrates ເອເລັກໂຕຣນິກສາມາດຖືກປັບແຕ່ງເພື່ອຕອບສະຫນອງຄວາມຕ້ອງການຜະລິດຕະພັນສະເພາະໂດຍການປັບຕົວກໍານົດການເຊັ່ນ: ຄວາມຫນາ, ຄົງທີ່ dielectric, ແລະຄວາມແຂງ. ນີ້ອະນຸຍາດໃຫ້ມີຄວາມຍືດຫຍຸ່ນຫຼາຍກວ່າເກົ່າໃນການອອກແບບຜະລິດຕະພັນແລະການເພີ່ມປະສິດທິພາບການປະຕິບັດ.